ES12P4S1B 时间：2025/4/25 15:44:03 阅读：3

ES12P4S1B 是一款基于硅技术设计的高效 TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线路和信号线路的保护，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
　　ES12P4S1B 的封装形式为 SOD-323，其小巧的体积使其非常适合空间受限的设计。

参数

工作电压：5V
　　击穿电压：7.5V
　　最大箝位电压：13.6V
　　峰值脉冲电流：89A
　　结电容：0.2pF
　　响应时间：1ps
　　封装：SOD-323

特性

ES12P4S1B 具有以下主要特性：
　　1. 高效的 ESD 保护能力，符合 IEC61000-4-2 国际标准，能够承受±15kV 空气放电和±8kV 接触放电。
　　2. 极低的电容值（仅为 0.2pF），对高速信号线路影响极小，适合用于 USB 3.0、HDMI 等高速接口保护。
　　3. 超快的响应时间（1ps），能够在瞬态事件发生时迅速将电压箝位到安全水平。
　　4. 小巧的 SOD-323 封装形式，节省 PCB 空间，便于在紧凑型设计中使用。
　　5. 工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境。

应用

ES12P4S1B 广泛应用于需要高速信号保护的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 消费电子产品中的 USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口保护。
　　2. 移音频端口等敏感电路保护。
　　3. 通信设备中的以太网端口、RS-232/RS-485 接口保护。
　　4. 工业自动化设备中的传感器信号线、控制总线保护。
　　5. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线保护。