时间：2025/7/23 20:28:30
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45H11 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏源电压（VDS）：45V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值，具体取决于栅极电压）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、D2PAK、TO-263（根据具体型号）
45H11 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势，包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作，最大漏极电流可达110A，适用于高功率应用场景。此外，45H11 的漏源电压额定值为45V，能够满足中高功率系统的电压需求。
在热管理方面，该MOSFET采用了先进的封装技术，如TO-220、D2PAK或TO-263，提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的温度运行。其工作温度范围宽，从-55°C至175°C，适应了各种恶劣环境下的应用需求。
此外，45H11 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，使其在频繁开关或高能量脉冲环境下仍能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可支持10V至20V的栅极电压，确保了与多种驱动电路的兼容性。
45H11 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等。由于其高电流和低导通电阻特性，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制、汽车电子、新能源设备以及消费类电子产品中。在汽车领域，45H11可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等关键应用。
STP110N45H5, STP55NF06L, IRF1404, FDP8870
