2N4175 时间：2025/9/3 6:26:30 阅读：38

2N4175是一款广泛使用的N沟道功率MOSFET晶体管，适用于高功率和高速开关应用。该器件采用TO-205AD（金属罐）封装，具备良好的热稳定性和导通性能。2N4175常用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备中，作为高效的功率开关元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-205AD（金属罐）

特性

2N4175具备优异的导通特性和低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗。其高耐压能力（Vds=100V）使其适用于多种中高压功率转换应用。该MOSFET具有快速开关响应能力，适用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）、PWM电机控制和DC-AC逆变器。
　　此外，2N4175的封装结构（TO-205AD）提供了良好的散热性能，增强了其在高功率环境下的稳定性与可靠性。由于其金属封装设计，还具备一定的抗干扰能力，适合在工业环境或高EMI（电磁干扰）场合中使用。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的MOSFET驱动电路，使用灵活。同时，2N4175在导通状态下具有较低的阈值电压（Vgs(th)），便于控制并降低驱动损耗。