型号：V223K0201X5R160NAT
　　容量：0.2μF (200nF)
　　额定电压：16V
　　容差：±10%
　　温度特性：X5R (-55℃ 至 +85℃，容量变化 ±15%)
　　封装尺寸：2220 (2.2mm x 2.0mm)
　　直流偏压特性：随电压升高容量下降
　　工作温度范围：-55℃ 至 +85℃
　　绝缘电阻：≥1000MΩ
　　ESR：低

V223K0201X5R160NAT 是一种表面贴装型多层陶瓷电容器，使用 X5R 级介电材料制成，确保在较宽的温度范围内表现出稳定且可预测的电容值。X5R 材料的电容变化率在 -55°C 到 +85°C 的范围内不超过 ±15%，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场合。
　　该电容器还具有较高的抗浪涌能力，并且能够在高频条件下保持较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL)，从而有效降低电路中的噪声干扰。
　　此外，V223K0201X5R160NAT 具备出色的直流偏置性能，在实际应用中即使施加一定直流电压时仍能维持较大的有效电容值。
　　V223K0201X5R160NAT 符合 RoHS 标准，适用于绿色电子产品开发。

V223K0201X5R160NAT 主要应用于消费电子、工业设备及通信产品中。具体应用场景包括但不限于：
　　1. 滤波器设计：在开关电源或 DC-DC 转换器中用作输入输出滤波元件，以减少纹波电压和电磁干扰 (EMI)。
　　2. 去耦网络：为数字 IC 提供电源去耦，确保信号完整性并抑制电源噪声。
　　3. 耦合与旁路：在音频放大器或其他模拟电路中，将交流信号从一个级传递到另一个级，同时阻止直流电流流动。
　　4. 存储功能：短时间存储能量，以支持瞬态负载需求。
　　由于其紧凑的外形和高性能，V223K0201X5R160NAT 在移动设备、家用电器、汽车电子等领域也得到了广泛应用。

V223K0201X5R150MAT
　　V223K0201X5R150BAT
　　V223K0201X5R150PAT