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PJL9415_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 19:30:11 查看 阅读:19

PJL9415_R2_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件设计用于高效率功率转换和管理应用,例如电源供应器、DC-DC转换器以及电池管理系统等。PJL9415_R2_00001具有优异的导通电阻(Rds(on))性能和快速开关特性,能够在较高频率下运行,从而减少能量损耗并提高系统效率。此外,该器件采用小型封装设计,适用于对空间有限制的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):6A
  最大漏-源电压(Vds):30V
  最大栅-源电压(Vgs):20V
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):2W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOP-8

特性

PJL9415_R2_00001具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了在高电流条件下的功率损耗,提高了整体效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,优化了开关性能,使得在高频应用中也能保持较低的开关损耗。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在恶劣的温度环境下稳定运行。
  另一个关键特性是其封装设计,SOP-8封装不仅提供了良好的散热性能,同时也便于表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率和可靠性。PJL9415_R2_00001还具有较强的抗静电能力(ESD保护),能够承受一定水平的静电放电,防止器件在操作过程中受到损坏。此外,该器件符合RoHS标准,无铅环保,适用于对环保要求较高的电子产品。
  最后,PJL9415_R2_00001的电气参数在宽温度范围内保持稳定,确保了在不同工作环境下的可靠性和一致性。这些特性使得该MOSFET成为众多高性能功率管理应用的理想选择。

应用

PJL9415_R2_00001广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能、低功耗设计的场合。例如,它可用于DC-DC降压或升压转换器中,作为主开关元件,实现高效的电压转换。在电源管理模块中,该器件可用于负载开关控制,优化电源分配并减少待机功耗。此外,它也适用于电机驱动电路、LED驱动器以及电池管理系统中的充放电控制。
  在汽车电子领域,PJL9415_R2_00001可用于车载电源转换系统、LED照明控制以及车载信息娱乐系统的电源管理模块。由于其具备较高的可靠性和热稳定性,因此在高温环境下也能稳定运行。在工业自动化和控制系统中,该MOSFET可用于可编程逻辑控制器(PLC)的电源模块、工业传感器的供电电路以及各种工业设备的电源管理单元。
  另外,该器件还可用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机的电源管理系统中,以提升能效并延长电池续航时间。综上所述,PJL9415_R2_00001凭借其高性能和多功能性,适用于多种功率电子系统的设计。

替代型号

Si4446BDY, FDS6680, AO4406A, NDS355AN

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PJL9415_R2_00001参数

  • 现有数量2,332现货
  • 价格1 : ¥5.17000剪切带(CT)2,500 : ¥2.00439卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)26 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3168 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)