IXYP10N65C3是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适合于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及各种高频开关应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):10A
漏极峰值电流(Idm):40A
导通电阻(Rds(on)):最大值0.75Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):典型值45nC
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
IXYP10N65C3采用了先进的MOSFET技术,具备出色的导通和开关性能。其主要特性包括高耐压能力,可支持高达650V的漏源电压,适用于高压电源系统设计。低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流承载能力,连续漏极电流可达10A,峰值电流可达40A,适合需要瞬时高电流的应用场景。
该MOSFET的栅极电荷较低(典型值45nC),可实现快速开关操作,减少开关损耗,提高整体系统效率。同时,其125W的高功耗能力支持在较高温度环境下稳定运行,增强了器件的可靠性和耐用性。TO-220封装形式便于安装和散热管理,适合各种工业和消费类电子产品应用。
IXYP10N65C3广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明系统、工业自动化控制设备以及不间断电源(UPS)等。此外,它也适用于需要高效能、高可靠性的家用电器、通信设备和汽车电子系统中的功率控制模块。
STP10NM65N, IRFPG50, FDPF10N65S, FQP10N65C