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IXYP10N65C3 发布时间 时间:2025/8/5 23:12:00 查看 阅读:12

IXYP10N65C3是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适合于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及各种高频开关应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):10A
  漏极峰值电流(Idm):40A
  导通电阻(Rds(on)):最大值0.75Ω @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):典型值45nC
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

IXYP10N65C3采用了先进的MOSFET技术,具备出色的导通和开关性能。其主要特性包括高耐压能力,可支持高达650V的漏源电压,适用于高压电源系统设计。低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流承载能力,连续漏极电流可达10A,峰值电流可达40A,适合需要瞬时高电流的应用场景。
  该MOSFET的栅极电荷较低(典型值45nC),可实现快速开关操作,减少开关损耗,提高整体系统效率。同时,其125W的高功耗能力支持在较高温度环境下稳定运行,增强了器件的可靠性和耐用性。TO-220封装形式便于安装和散热管理,适合各种工业和消费类电子产品应用。

应用

IXYP10N65C3广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明系统、工业自动化控制设备以及不间断电源(UPS)等。此外,它也适用于需要高效能、高可靠性的家用电器、通信设备和汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

STP10NM65N, IRFPG50, FDPF10N65S, FQP10N65C

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IXYP10N65C3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)54 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.5V @ 15V,10A
  • 功率 - 最大值160 W
  • 开关能量240μJ(开),110μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷18 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值20ns/77ns
  • 测试条件400V,10A,50 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3