LESD23D12NLT1G 时间：2025/8/13 14:28:03 阅读：16

LESD23D12NLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双线双向电压抑制二极管（TVS），专为静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用小型SOD-882封装，适用于需要高可靠性保护的应用场合。LESD23D12NLT1G具有快速响应时间和低钳位电压特性，可在受到瞬态电压干扰时迅速导通，将多余的能量泄放到地，从而保护下游电路不受损害。该器件常用于便携式电子产品、通信设备和工业控制系统中，以提高系统的稳定性和可靠性。

参数

类型：双向TVS二极管
　　工作电压：12V
　　最大反向截止电压：12.7V
　　最大钳位电压：23V（在Ipp=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOD-882
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

LESD23D12NLT1G具备出色的ESD保护性能，其双向结构使其适用于正负极性都可能受到干扰的电路中。该器件在正常工作状态下呈现高阻态，对电路运行影响极小；而在发生静电放电或电压瞬变时，能够迅速导通并吸收能量，将电压钳制在安全范围内，从而保护敏感的电子元件。
　　此外，LESD23D12NLT1G采用无铅环保封装工艺，符合RoHS标准，适用于各种对环保要求较高的应用。其低电容特性也使其适用于高速信号线路保护，不会对信号完整性造成显著影响。
　　该器件具有较高的可靠性，在极端温度和湿度条件下仍能保持稳定的保护性能。SOD-882的小型封装设计节省了PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。

应用

LESD23D12NLT1G主要应用于便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）的接口保护，例如USB、HDMI和音频接口等。此外，它还可用于工业控制系统、通信设备、汽车电子模块以及传感器接口的ESD保护。由于其低电容特性，该器件也特别适用于高速数据线路的保护，确保信号传输质量不受影响。