PMPB12UNEX 时间：2025/9/14 16:18:10 阅读：10

PMPB12UNEX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制及负载开关等场合。PMPB12UNEX采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，有助于提高PCB空间利用率，并具备良好的散热能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　漏极电流(ID)：连续12A
　　导通电阻(RDS(on))：最大25mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散(PD)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：PowerFLAT 5x6
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V

特性

PMPB12UNEX具备多项优异特性，首先其采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。此外，该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种中高压功率转换应用。PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，而且具有出色的散热性能，有助于提高系统稳定性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，适用于多种栅极驱动IC和控制器。此外，其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，从而进一步提升开关效率，适用于高频操作场景。
　　在可靠性方面，PMPB12UNEX具有高雪崩能量耐受能力，可在瞬态电压条件下提供更好的稳定性。其封装材料符合RoHS标准，支持绿色环保的电子产品设计。同时，该器件的高热循环稳定性和优异的抗湿性，使其在恶劣环境中仍能保持稳定工作。

应用

PMPB12UNEX广泛应用于多种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。此外，由于其具备高能效和良好的热管理能力，该器件也适用于高密度电源设计，如服务器电源、通信设备电源、便携式充电设备及新能源系统中的功率控制模块。
　　在电动汽车和电动工具领域，PMPB12UNEX可作为高侧或低侧开关，用于控制电机驱动、充电管理及电池保护电路。同时，其快速开关能力和低导通压降使其成为LED照明电源、AC-DC适配器及UPS不间断电源系统中的理想选择。