3SK73是一种结型场效应晶体管(JFET),通常用于低噪声前置放大器、高频放大器和模拟开关等应用。这种器件采用N沟道结构,具备高输入阻抗和良好的低噪声特性,使其成为许多高精度电子设备的首选组件。3SK73广泛用于通信设备、音频放大器和测试仪器等领域。
类型:N沟道JFET
最大漏极电流:10mA
最大漏极-源极电压:20V
最大栅极-源极电压:-25V
跨导:1000μS至5000μS
输入电容:5pF
输出电容:4pF
工作温度范围:-55°C至+150°C
3SK73的高输入阻抗特性使其在高精度信号处理电路中表现出色。该器件的低噪声性能非常适合用于前置放大器和高频信号放大。3SK73的跨导范围较宽,能够适应不同的设计需求,提供良好的线性放大性能。此外,其小型封装设计使得在高密度电路板布局中也能轻松集成。该器件还具备较好的温度稳定性和长期可靠性,适用于各种工业和消费电子应用。
3SK73的封装形式通常为TO-92或类似的小型封装,方便在各种电路中使用。其内部结构优化了高频响应,使其在射频(RF)和中频(IF)应用中表现优异。由于其高输入阻抗和低噪声系数,3SK73常用于音频前置放大器、传感器接口电路以及低噪声高频放大器设计。
3SK73通常用于需要低噪声和高输入阻抗的电路设计中。典型应用包括音频前置放大器、射频放大器、模拟开关、信号发生器和测试测量设备。在音频设备中,3SK73能够提供清晰的信号放大,减少噪声干扰。在射频电路中,它能够有效地放大高频信号,同时保持良好的线性度和稳定性。此外,3SK73还可用于各种传感器接口电路,提供高精度信号调理。
2SK170, J201, BF245