3SK73 时间：2025/7/22 20:24:45 阅读：6

3SK73是一种结型场效应晶体管（JFET），通常用于低噪声前置放大器、高频放大器和模拟开关等应用。这种器件采用N沟道结构，具备高输入阻抗和良好的低噪声特性，使其成为许多高精度电子设备的首选组件。3SK73广泛用于通信设备、音频放大器和测试仪器等领域。

参数

类型：N沟道JFET
　　最大漏极电流：10mA
　　最大漏极-源极电压：20V
　　最大栅极-源极电压：-25V
　　跨导：1000μS至5000μS
　　输入电容：5pF
　　输出电容：4pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

3SK73的高输入阻抗特性使其在高精度信号处理电路中表现出色。该器件的低噪声性能非常适合用于前置放大器和高频信号放大。3SK73的跨导范围较宽，能够适应不同的设计需求，提供良好的线性放大性能。此外，其小型封装设计使得在高密度电路板布局中也能轻松集成。该器件还具备较好的温度稳定性和长期可靠性，适用于各种工业和消费电子应用。
　　3SK73的封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，方便在各种电路中使用。其内部结构优化了高频响应，使其在射频（RF）和中频（IF）应用中表现优异。由于其高输入阻抗和低噪声系数，3SK73常用于音频前置放大器、传感器接口电路以及低噪声高频放大器设计。

应用

3SK73通常用于需要低噪声和高输入阻抗的电路设计中。典型应用包括音频前置放大器、射频放大器、模拟开关、信号发生器和测试测量设备。在音频设备中，3SK73能够提供清晰的信号放大，减少噪声干扰。在射频电路中，它能够有效地放大高频信号，同时保持良好的线性度和稳定性。此外，3SK73还可用于各种传感器接口电路，提供高精度信号调理。