3SK304 时间：2025/8/18 14:37:22 阅读：30

3SK304是一种N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率放大器、电源开关以及高频电子电路中。它具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于各种工业控制、汽车电子和消费电子产品。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.018Ω
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

3SK304具有多项优异的电气特性。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，可以在高负载条件下保持稳定运行。
　　由于采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，3SK304在开关过程中具有较快的上升和下降时间，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其高栅极绝缘能力（±20V）也增强了器件在复杂工作环境下的可靠性。
　　该MOSFET的TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。3SK304还具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定，避免器件损坏。