时间：2025/9/2 10:31:35
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HY628100ALG-70是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，提供高速访问时间和低功耗特性，适用于需要高性能存储解决方案的各类电子设备。HY628100ALG-70的存储容量为128K x 8位，即1MB，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及计算机外围设备等领域。
容量：128K x 8 位
电压：5V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
读取电流：最大 180mA
待机电流：最大 10mA
HY628100ALG-70采用高性能CMOS工艺，确保了在高速运行下的稳定性和低功耗表现。其70ns的访问时间使得该芯片能够满足高速数据存取的需求，适用于实时系统和高频数据交换的场景。
此外，该芯片具有出色的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，适合用于工业控制、自动化设备和通信系统等对可靠性要求较高的应用。
在封装方面，HY628100ALG-70采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，便于在高密度PCB设计中使用，同时降低了整体系统的体积和重量。
该芯片支持标准的并行接口协议，兼容多种主控器的连接，简化了系统设计和集成过程。其宽工作温度范围也使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
HY628100ALG-70主要用于需要高速、低功耗存储的应用场景，例如嵌入式系统中的缓存或临时数据存储，工业控制设备如PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集系统，通信设备如路由器、交换机和基站控制器，以及测试测量仪器、医疗设备和消费类电子产品中的高性能存储模块。
CY62148EVLL-70ZE、IS61LV10248ALLB4-7TLI、AS6C1008-70SIN、M5M51008BSP-70XFP
