HY628100ALG-70是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,提供高速访问时间和低功耗特性,适用于需要高性能存储解决方案的各类电子设备。HY628100ALG-70的存储容量为128K x 8位,即1MB,广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及计算机外围设备等领域。
容量:128K x 8 位
电压:5V
访问时间:70ns
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:并行接口
读取电流:最大 180mA
待机电流:最大 10mA
HY628100ALG-70采用高性能CMOS工艺,确保了在高速运行下的稳定性和低功耗表现。其70ns的访问时间使得该芯片能够满足高速数据存取的需求,适用于实时系统和高频数据交换的场景。
此外,该芯片具有出色的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作,适合用于工业控制、自动化设备和通信系统等对可靠性要求较高的应用。
在封装方面,HY628100ALG-70采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,便于在高密度PCB设计中使用,同时降低了整体系统的体积和重量。
该芯片支持标准的并行接口协议,兼容多种主控器的连接,简化了系统设计和集成过程。其宽工作温度范围也使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
HY628100ALG-70主要用于需要高速、低功耗存储的应用场景,例如嵌入式系统中的缓存或临时数据存储,工业控制设备如PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统,通信设备如路由器、交换机和基站控制器,以及测试测量仪器、医疗设备和消费类电子产品中的高性能存储模块。
CY62148EVLL-70ZE、IS61LV10248ALLB4-7TLI、AS6C1008-70SIN、M5M51008BSP-70XFP