制造商：AMD
　　产品类别：SRAM
　　存储容量：2K x 8位（16 Kbit）
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　封装类型：24-DIP或24-SOIC
　　访问时间：45 ns / 55 ns / 70 ns / 100 ns（不同速度等级）
　　接口类型：并行异步
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　写使能信号：WE（低电平有效）
　　片选信号：CE（低电平有效）
　　数据总线宽度：8位
　　地址总线宽度：11位（A0-A10）
　　封装引脚数：24

AM27161DC采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的噪声抑制能力和高抗干扰性能，能够在复杂电磁环境中稳定运行。其内部结构由六个晶体管组成的静态存储单元构成，每个单元可稳定保持一个比特信息而无需周期性刷新，从而保证了数据的持久性和系统的可靠性。这种设计不仅简化了外围电路的设计难度，还降低了整体系统功耗。
　　该芯片支持全地址解码机制，所有地址输入端均经过内部锁存和缓冲处理，确保地址信号在读写过程中保持稳定。当片选信号（CE）和写使能信号（WE）同时有效时，允许将数据通过8位双向数据总线写入指定地址；而在读取模式下，输出使能信号（OE）控制数据输出驱动器的状态，实现对存储内容的安全读取。这些独立的控制信号使得AM27161DC可以灵活地集成到基于微处理器或微控制器的系统中，并支持与其他外设共享数据总线。
　　在功耗管理方面，AM27161DC具有两种工作模式：主动模式和待机模式。在主动模式下，芯片正常进行读写操作，典型工作电流根据速度等级不同约为35mA～75mA；而在待机模式下（即CE为高电平时），电流可降低至数微安级别，显著提升了能源效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气特性，避免因温漂引起的误操作。
　　AM27161DC还具备较强的抗静电能力（ESD保护），所有I/O引脚均内置防护电路，防止在装配或使用过程中因静电放电造成损坏。同时，其输出驱动能力强，可以直接驱动多个TTL负载，减少了对外部缓冲器的需求。由于其成熟的设计和长期供货历史，该芯片在工业自动化、航空航天、测试仪器等领域得到了广泛应用，并因其高可靠性成为许多关键任务系统的首选SRAM解决方案。

AM27161DC被广泛应用于各类需要高速、非易失性辅助存储或临时数据缓存的电子系统中。常见应用场景包括工业控制系统中的PLC模块数据暂存、通信设备中的帧缓冲区、医疗仪器中的实时数据采集缓存、雷达信号处理系统中的中间结果存储等。此外，它也常用于老旧计算机系统升级、复古计算项目以及教学实验平台中作为主内存或程序存储扩展。
　　在嵌入式系统中，AM27161DC可用于配合微控制器或DSP芯片，提供额外的RAM空间以提升系统性能。例如，在图像处理或音频流处理应用中，该芯片可用于存储一帧或多帧原始数据，供处理器快速访问和处理。由于其异步接口特性，无需复杂的时钟同步逻辑，非常适合于基于总线架构的传统MCU系统，如8051、68000或Z80系列处理器系统。
　　另外，在军工和航天领域，由于AM27161DC具备宽温工作能力和高可靠性，常被用于飞行控制系统、卫星遥测设备和战术通信终端中作为关键数据的临时存储介质。其无需刷新的特性也避免了因刷新周期导致的数据中断风险，进一步增强了系统的安全性与稳定性。同时，该芯片也被用于各种测试与测量设备中，如逻辑分析仪、示波器和频谱仪，用于高速采样数据的临时缓存。
　　值得一提的是，尽管现代系统越来越多地采用同步SRAM或DDR类存储器，但在一些对成本敏感、设计简单或维护原有架构不变的应用中，AM27161DC仍然具有不可替代的优势。特别是在系统升级或替换原有SRAM器件时，其引脚兼容性和成熟的配套资源使其成为理想选择。

MCM2716J-45
　　MCM2716-2
　　CY7C126-45AC
　　IDT71256SA45P
　　AS7C256-45JC