D5N20 时间：2025/7/23 16:55:40 阅读：5

D5N20是一种常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于中高功率的开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（当Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-220
　　阈值电压(Vgs(th))：约2V ~ 4V

特性

D5N20具有良好的导通性能和较快的开关速度，使其在开关电源和功率控制电路中表现出色。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高电压尖峰环境下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，在+10V至+20V之间均可正常工作，便于与不同类型的驱动电路兼容。同时，其封装设计具有良好的散热能力，能够在较高功率下稳定运行。
　　在温度稳定性方面，D5N20表现出良好的热阻特性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。这使得它在工业控制、电源适配器和LED驱动等应用中具有较高的可靠性。