类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：170mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：680mA
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5Ω @ VGS = 10V, 5.8Ω @ VGS = 4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：90pF @ VDS = 20V
　　开关时间（开启/关闭）：约10ns / 25ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

3N40KG-TN3-R采用高性能沟槽栅极工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适用于对功耗敏感的应用场合，如移动设备和物联网终端。该MOSFET的栅极阈值电压范围适中，能够在3.3V或5V逻辑电平下可靠驱动，兼容大多数微控制器和数字逻辑电路，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　器件具有较高的输入阻抗和较低的栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。同时，90pF的输入电容确保了快速的开关响应，有助于提升DC-DC转换器和开关电源的工作频率与动态响应能力。此外，该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
　　得益于SOT-23小型封装，3N40KG-TN3-R在保持高性能的同时实现了极小的占板面积，非常适合高密度印刷电路板布局。其热阻特性经过优化，在自然对流条件下可有效散热，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。在批量生产中，卷带包装形式便于自动贴片机取料，提升了生产效率和良品率，是工业控制、消费电子和通信设备中理想的功率开关解决方案。

3N40KG-TN3-R广泛应用于各类低功率开关和电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电池开关、LED驱动电路、小型电机控制、USB电源开关以及DC-DC升压或降压转换器中的同步整流开关。由于其支持逻辑电平驱动，也常用于微控制器I/O扩展后的负载驱动，例如继电器、传感器或显示屏的电源控制。此外，在热插拔电路、过流保护模块和信号切换系统中，该MOSFET也能发挥高效、可靠的开关作用。其小型封装特别适合智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点和智能家居终端等对体积和功耗有严格要求的产品。工业领域中，它可用于PLC输入输出模块、远程IO单元和低功耗传感器供电管理。通信设备如路由器、网络交换机的辅助电源管理也常采用此类器件。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET开关的场合，3N40KG-TN3-R都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "DMG3415U,T1G",
　　 "FDD4410NZ",
　　 "AO3400A",
　　 "SI2302CDS",
　　 "BSS138K"
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