时间：2025/6/19 13:06:53
阅读：3
RFP70N06是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款MOSFET适用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于直流-直流转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达70A。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：35nC（典型值）
总电容：4900pF（典型值）
功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
RFP70N06具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
该器件还具备出色的热性能，有助于延长使用寿命并增强系统的可靠性。
RFP70N06采用标准的TO-220封装，便于安装与散热设计。
其快速开关特性减少了开关损耗，并且能够在高频条件下高效运行。
此外，RFP70N06支持较宽的工作温度范围，使其适用于各种恶劣环境下的应用。
该功率MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、降压和升压转换器、电机控制电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等场景。
由于其低导通电阻和高效率特性，它也常用于需要高性能功率管理的工业设备和消费类电子产品中。
IRFZ44N
STP70NF06
FDP70N06L
