KRC664E-RTK 时间：2025/9/11 19:35:04 阅读：20

KRC664E-RTK是一款由Kec Corporation（Kec）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源管理和功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。KRC664E-RTK采用SOT-223封装，适合表面贴装，具有良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A（Tamb=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOT-223

特性

KRC664E-RTK具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其SOT-223封装设计提供了良好的散热性能，适合高功率密度的应用。该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，它还具备较强的过热和过流耐受能力，适用于高可靠性和高稳定性的电源系统。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电路，方便设计和应用。