时间：2025/7/17 21:36:27
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FDT86113LZ 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该器件适用于各种高效能电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。其优化的设计使其能够在高频工作条件下保持较低的功耗和较高的效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：非常快
封装类型：TO-263
FDT86113LZ 的主要特点是具备超低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗，从而提高整体效率。
此外，该器件还具有极低的栅极电荷，有助于实现快速开关，减少开关损耗。
FDT86113LZ 采用了 TO-263 封装形式，这种封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，非常适合用于功率密集型应用环境。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 在设计紧凑型、高效能的电子设备时备受青睐。
FDT86113LZ 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关，提供高效的电压调节功能。
3. 各种负载开关应用，如服务器、通信设备及消费类电子产品。
4. 电机驱动电路，为小型直流电机或无刷电机提供精确的电流控制。
5. 电池保护和管理系统，确保电池充放电过程的安全与稳定。
FDP86113LZ, IRF86113LZ
