型号：6N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：3.4A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：13.6A
　　最大功耗（PD）：57W
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：580pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：140pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

6N65具备优异的电气特性和热稳定性，使其在多种高要求的应用场景中表现出色。首先，其高达650V的漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全可靠运行，特别适用于离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源等。在此类应用中，6N65能够承受整流后的市电峰值电压，并在高频开关状态下保持低损耗。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为2.2Ω，在额定电流下可显著降低导通损耗，提高整体电源效率。这对于追求高能效等级（如Energy Star或DoE VI标准）的产品尤为重要。
　　6N65采用了优化的晶圆制造工艺，提升了载流子迁移率并减少了寄生参数，从而实现了快速的开关响应能力。其输入电容和输出电容较小，有助于减少驱动电路的能量消耗，并提升系统的动态响应速度。同时，较短的反向恢复时间（trr=55ns）意味着体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少，降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有利于简化EMI滤波电路设计。
　　在可靠性方面，6N65经过严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲和重复脉冲雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路故障时提供一定程度的自我保护。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件，包括高温工业环境或低温户外设备。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还便于安装散热片以进一步提升功率处理能力。综合来看，6N65凭借其高压能力、低导通损耗、快速开关特性以及坚固的封装设计，成为众多中低端功率电子系统中的理想选择。

6N65主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高压隔离和高效转换的场合。常见应用包括：通用交流适配器、手机及笔记本电脑充电器、小型开关电源模块（SMPS）、LED照明驱动电源、家电控制板中的辅助电源（待机电源）、DC-DC升压或降压变换器、逆变器中的初级侧开关、电机控制电路中的功率开关节点等。此外，它也常用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管，承担能量传递与切断的功能。在这些应用中，6N65能够与UC3842、TL494、SG3525等经典PWM控制器配合使用，构成稳定可靠的电源控制系统。由于其具备良好的抗噪能力和温度稳定性，也可用于工业自动化设备、通信电源模块以及消费类电子产品中。

KIA6N65, FQP6N65, STP6NK60ZFP, IRF6N65D}