工作电压：15V ~ 30V
　　输出峰值电流：±2.5A（典型值）
　　输入信号兼容性：3.3V / 5V TTL / CMOS
　　隔离电压：5kVrms（增强型隔离）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　传播延迟：小于100ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50kV/μs
　　封装形式：双列直插式（DIP-16）

GT26-1.1-2.2SC 的主要特性之一是其内置的隔离技术，采用先进的电容隔离方法，提供高达5kVrms的增强型隔离，确保了系统在高压环境下的安全性与稳定性。芯片内部集成了两个独立的栅极驱动通道，每个通道均可独立配置，适用于半桥或全桥拓扑结构。该芯片的高输出驱动能力使其能够有效驱动大功率MOSFET和IGBT，显著降低开关损耗。此外，GT26-1.1-2.2SC 还具备宽工作温度范围（-40°C至+125°C），适用于各种严苛工业环境。其输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与微控制器、DSP或FPGA等控制器接口连接。芯片还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件在非正常状态下工作，提高系统可靠性。
　　此外，GT26-1.1-2.2SC 采用了高速CMOS工艺，确保了快速的开关响应和极低的传播延迟（小于100ns），这对于高频开关应用（如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器）至关重要。同时，其优异的共模瞬态抗扰度（CMTI）性能（>50kV/μs）使其在高噪声环境下仍能保持稳定运行，避免因高频干扰导致的误触发或信号失真。在封装方面，该芯片采用标准的DIP-16封装，便于PCB布局和安装，适合工业自动化设备和电力电子系统中的批量应用。

GT26-1.1-2.2SC 主要应用于需要高压隔离和高驱动能力的电力电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动、变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及开关电源（SMPS）等。在电机控制应用中，GT26-1.1-2.2SC 可用于驱动半桥或全桥结构的MOSFET/IGBT模块，实现高效的功率转换。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能变流器，该芯片能够提供可靠的隔离驱动能力，确保系统在高电压环境下的稳定运行。此外，在电动汽车领域，GT26-1.1-2.2SC 也可用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电驱系统中，满足对安全性和可靠性的高要求。

HCPL-316J、ACPL-P340、Si8262BBC-C-ISR、UCC21520DWPA