您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRL3803PBF

IRL3803PBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:35:24 查看 阅读:3

IRL3803PBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件适用于高频开关和低导通电阻的应用场景,广泛用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。其封装形式为 SO-8(Small Outline),具有紧凑的设计和出色的散热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:17A
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
  功耗:28W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRL3803PBF 的主要特点是其非常低的导通电阻 Rds(on),这使其能够在高电流应用中实现高效的开关操作,并减少功率损耗。
  此外,该器件支持逻辑电平驱动,允许使用较低的栅极驱动电压(如 5V 或 3.3V),非常适合与微控制器或其他低电压逻辑电路配合使用。
  它还具备快速开关速度,能够有效降低开关损耗,同时提供较高的电流承载能力以满足大功率应用的需求。
  SO-8 封装也提供了良好的热性能和电气性能,确保了器件在各种恶劣环境下的可靠性。

应用

IRL3803PBF 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、负载开关以及音频放大器等场景。由于其低导通电阻和逻辑电平驱动功能,它特别适合需要高效能量转换和小型化设计的应用场合。
  例如,在汽车电子中,它可以用于电动窗、座椅调节和雨刷控制;在消费电子领域,可用于笔记本电脑适配器和智能手机充电器。

替代型号

IRLZ44N, FDP5802, AO3400

IRL3803PBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRL3803PBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRL3803PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 71A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3803PBF