时间：2025/8/2 4:52:18
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PXN4R7-30QL 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET模块，主要用于高功率和高频率的开关应用。该模块采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热管理能力。PXN4R7-30QL 特别适用于工业电源、逆变器、电机驱动器以及不间断电源（UPS）等应用场景。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：470A
最大漏源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ
栅极电荷（Qg）：240nC（典型值）
封装类型：模块封装
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
安装类型：通孔安装
功率耗散：400W（最大）
技术：沟槽栅极MOSFET技术
PXN4R7-30QL 的核心特性之一是其极低的导通电阻，仅为4.7mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该模块采用了先进的沟槽栅极技术，使得器件在高频工作条件下仍能保持稳定的性能。
另一个显著特性是其高电流承载能力，最大漏极电流可达470A，使其适用于高功率密度的设计。模块的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下也能维持较低的温升，提高了系统的可靠性和寿命。
PXN4R7-30QL 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的稳定性和安全性。该模块的栅极电荷（Qg）为240nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而进一步提升效率。
此外，该模块的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于各种严苛的工业环境。模块的封装形式为通孔安装，确保了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。
综合来看，PXN4R7-30QL 凭借其低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能，成为高功率开关应用的理想选择。
PXN4R7-30QL 主要应用于需要高功率和高效率的电力电子系统中。在工业电源系统中，该模块常用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等拓扑结构，提供高效的能量转换能力。
在电机驱动领域，PXN4R7-30QL 被广泛用于变频器和伺服驱动器中，支持高效、稳定的电机控制。其高电流承载能力和低导通电阻使得电机驱动系统在高负载条件下依然保持良好的效率和稳定性。
此外，该模块在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中也具有广泛应用。其优异的开关特性和热管理能力，使得太阳能逆变器能够在复杂环境下实现高效的能量转换，同时确保系统的长期可靠性。
在电动汽车充电设备中，PXN4R7-30QL 也被用于高频开关电源模块，提供快速充电能力的同时保持较低的能耗和发热。
综上所述，PXN4R7-30QL 是一款多功能、高性能的功率MOSFET模块，适用于多种高功率密度和高频开关应用。
IXYS IXFN44N60P
Infineon FF450R12KE3_B11
STMicroelectronics STY60N3LLH6
