HBT191是一种高性能的NPN型小信号晶体管,广泛应用于模拟和数字电路中。该晶体管具有低噪声、高增益和快速开关特性,适用于音频放大器、射频电路以及各种开关应用。
该器件采用塑料封装形式,常见的封装类型为SOT-23,适合表面贴装技术(SMT),从而节省空间并提高生产效率。由于其出色的电气性能和可靠性,HBT191在消费电子、通信设备和工业控制等领域得到了广泛应用。
集电极-发射极击穿电压:30V
集电极最大电流:200mA
集电极-基极击穿电压:30V
功率耗散:360mW
直流电流增益(hFE):100~630
过渡频率:300MHz
存储温度范围:-55℃~150℃
HBT191的主要特性包括:
1. 高增益性能,确保在低输入信号下的高效放大。
2. 快速开关能力,使其处理。
3. 低噪声设计,适用于音频和射频放大器等对信号质量要求较高的场景。
4. 小巧的SOT-23封装,便于在紧凑型设计中使用。
5. 广泛的工作温度范围,确保在不同环境条件下的稳定性和可靠性。
6. 良好的热稳定性,能够适应长时间运行而不易失效。
HBT191可应用于多种领域:
1. 音频放大器中的前置放大器和驱动级。
2. 射频电路中的混频器、振荡器和调制解调器。
3. 开关电路中的高速开关元件。
4. 消费电子产品中的信号调理和放大。
5. 工业控制设备中的传感器信号放大与处理。
6. 通信系统中的信号增强和转换。
HBT189
HBT192
MPSA06
BC847