您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DS1249AB-100+

DS1249AB-100+ 发布时间 时间:2025/5/9 9:29:18 查看 阅读:6

DS1249AB-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储器 (FRAM),能够在断电时自动将 SRAM 数据保存到 FRAM 中,重新上电后可恢复数据。DS1249AB-100+ 提供了高可靠性和低功耗的解决方案,适用于需要频繁数据记录和非易失性存储的应用场景。
  该芯片采用标准的同步 SRAM 接口,支持字节和字宽度访问,并且无需额外的控制信号或软件操作即可实现非易失性功能。

参数

存储容量:512Kb(64K x 8)
  接口类型:同步 SRAM 接口
  工作电压:3.3V ± 5%
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:超过10年
  写入耐久性:无限次
  封装类型:44 引脚 TQFP
  访问时间:70ns

特性

DS1249AB-100+ 的主要特性包括:
  1. 自动数据保护功能:在电源故障时,内置电路会自动将 SRAM 数据备份到非易失性存储器中。
  2. 高速性能:提供与标准 SRAM 兼容的访问速度,确保系统性能不受影响。
  3. 非易失性:即使在断电情况下,数据也可以长期保存。
  4. 无限写入次数:基于 FRAM 技术,避免了传统闪存因写入次数限制而失效的问题。
  5. 简化设计:无需外部电池或超级电容器支持,降低了系统的复杂性和成本。
  6. 可靠性高:经过严格的测试和验证,确保在工业环境下的稳定运行。

应用

DS1249AB-100+ 广泛应用于需要高可靠性数据存储的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 工业自动化设备中的数据记录和配置存储。
  2. 医疗设备中的关键参数备份。
  3. 计量仪器中的测量数据保存。
  4. 网络通信设备中的状态信息存储。
  5. 数据采集系统中的实时数据缓存。
  由于其非易失性和高可靠性,该芯片非常适合要求频繁读写和长时间数据保存的应用场合。

替代型号

DS1249AC-100+, DS1248AB-100+, CY14B101QA, FM25L16B

DS1249AB-100+推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价