时间：2025/9/2 21:41:37
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3N131是一款经典的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压开关电路和功率控制领域。该器件采用TO-92封装，具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适合用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用场景。3N131由于其高可靠性和低成本，在消费类电子产品和工业控制领域曾被大量使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏-源电压（VDS）：40V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约10Ω（典型值）
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
3N131具有良好的开关特性，适用于低功率开关应用。其增强型结构确保在零栅极电压时器件处于关闭状态，避免了意外导通的风险。该器件的栅极绝缘层提供了高输入阻抗，使其对驱动电路的要求较低，适用于数字电路直接驱动。
此外，3N131具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TO-92封装形式便于手工焊接和安装，适合于原型设计和小功率电路应用。
尽管3N131的导通电阻相对较高（约10Ω），限制了其在高效率开关电路中的使用，但在低电流、低频率的应用中仍具有良好的性能和性价比。
3N131主要应用于低功率开关控制电路，例如LED驱动、小型继电器驱动、逻辑电平转换、小型电机控制、玩具电子设备以及电池供电设备中的开关电路。此外，它也可用于音频放大器中的开关元件或作为低边开关用于微控制器的外围驱动电路。
由于其封装小巧、成本低廉，3N131在教育实验和DIY电子项目中也被广泛使用，适合用于教学演示MOSFET的基本工作原理。
2N7000, BS170, 2N3819, 3N159
