IXDI509D1T/R 时间：2025/8/6 4:37:14 阅读：10

IXDI509D1T/R 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Integrated Circuits Division）生产的高性能双路高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路。该芯片专为需要高驱动能力和快速响应的功率转换应用而设计，例如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和直流-直流转换器。IXDI509D1T/R 采用双通道设计，每通道都具备独立的输入和输出控制，能够提供高达 5A 的峰值驱动电流。其封装形式为 16 引脚 TSSOP，适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：双路高速栅极驱动器
　　封装类型：16 引脚 TSSOP
　　供电电压范围：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：±5A（每通道）
　　传播延迟：典型值 16ns
　　上升/下降时间：典型值 5ns（25°C）
　　输入逻辑类型：兼容 CMOS/TTL
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

IXDI509D1T/R 的核心优势在于其高速性能和强大的驱动能力，适用于高频开关应用。其低传播延迟（16ns 典型值）和极短的上升/下降时间（5ns）确保了功率器件能够快速而高效地切换，从而降低开关损耗并提高整体系统效率。该驱动器的双通道设计支持独立控制，适合半桥、全桥或推挽式拓扑结构。每个通道都具备独立的输入信号（IN+ 和 IN-），可以灵活配置为高边或低边驱动模式。
　　此外，IXDI509D1T/R 内部集成了交叉导通保护功能，防止上下桥臂同时导通，从而提高系统可靠性。其宽供电电压范围（10V 至 20V）允许使用不同的电源配置，例如独立的栅极驱动电源或与主电源共享的电源。该芯片还具有较高的抗噪声能力，得益于其高 dv/dt 抑制性能，使其在高电磁干扰（EMI）环境中仍能稳定工作。
　　在热管理和可靠性方面，TSSOP 封装不仅节省空间，还提供了良好的热传导性能。IXDI509D1T/R 在工业级温度范围（-40°C 至 +125°C）内保证性能稳定，适用于恶劣工作环境。

应用

IXDI509D1T/R 主要用于需要高速驱动和精确控制的功率电子系统。典型应用包括谐振转换器、DC-DC 转换器、电机驱动器、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备中的功率模块控制。由于其出色的驱动能力和高速特性，它特别适用于 GaN 和 SiC 等宽禁带半导体器件的驱动，从而实现更高的效率和更高的开关频率。