类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：650V
　　最大漏极电流 Id：45A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 220mΩ
　　栅极电压 Vgs：±20V
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　晶体管类型：增强型

MK45H02N-65 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为 220mΩ，这使得在高电流工作条件下，功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。其次，该器件的最大漏源电压高达 650V，适用于高压直流系统和工业电源应用。
　　此外，该 MOSFET 的漏极电流额定值达到 45A，具备较强的负载能力，适合用于大功率开关电路。其快速开关特性也使得在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗，提高了系统响应速度。
　　该器件采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度设计。此外，MK45H02N-65 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +175°C，能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、电源管理和新能源系统等应用领域。

MK45H02N-65 被广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
　　在开关电源设计中，MK45H02N-65 常用于主开关管或同步整流管，以提高转换效率并减少热量产生。在 DC-DC 转换器中，它可用于升压或降压拓扑结构，实现稳定的电压调节。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转控制。
　　此外，在新能源系统如太阳能逆变器中，MK45H02N-65 可用于将直流电转换为交流电的过程中，作为关键的功率开关元件。其高可靠性和宽工作温度范围使其成为工业自动化设备中常用的功率器件。

IXFH48N65X2, IRG4BC30UD, FDPF45N65S