时间：2025/7/23 9:29:02
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STU14NA50是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压和高电流应用，具有较低的导通电阻和较高的效率，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制和逆变器等场合。STU14NA50的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
STU14NA50作为一款高性能的N沟道MOSFET，其核心特性在于其高电压和高电流能力，能够承受高达500V的漏源电压，并在持续工作时提供14A的漏极电流。这使其非常适合用于高功率应用场景。该器件的导通电阻为0.38Ω，这一数值较低，意味着在导通状态下功耗较小，效率较高。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围宽，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。STU14NA50还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。其TO-220封装设计不仅提供了良好的散热性能，也便于安装在散热片上，进一步增强其在高功率应用中的可靠性。该器件还内置了防静电保护功能，能够在一定程度上抵御静电冲击，提高器件的使用寿命。
STU14NA50广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池充电器、逆变器、LED照明系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于家电和消费类电子产品中的功率管理电路。
STP16NF50, STP14NK50Z, IRF840
