NFVA33065L32 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效、高可靠性的功率转换和控制场景。该器件采用了先进的Trench沟槽技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了整体系统效率。其封装形式为DFN5x6,具备良好的热性能和空间利用率,适合在空间受限的设计中使用。
类型:功率MOSFET
材料:硅
最大漏极电流(ID):180A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装形式:DFN5x6
NFVA33065L32的主要特性包括:
1. **低导通电阻**:该器件的Rds(on)仅为2.3mΩ,在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提升系统效率。
2. **高电流能力**:最大漏极电流可达180A,适用于高功率应用场景,如电源转换器、电机驱动和电池管理系统。
3. **高性能封装**:采用DFN5x6无引脚封装,具有良好的热管理性能,可有效散热,提升器件在高负载下的稳定性。
4. **宽工作温度范围**:可在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业和汽车环境。
5. **栅极耐压能力强**:栅源电压最高可达±20V,提供了更大的驱动灵活性和抗过压能力。
6. **符合RoHS标准**:该器件符合环保要求,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品的设计。
NFVA33065L32因其优异的性能被广泛应用于多个领域,包括:
1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,提高能量转换效率。
2. **电机驱动**:适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路,提供高电流和低损耗的开关控制。
3. **电池管理系统(BMS)**:用于电动汽车和储能系统的电池充放电控制,确保电池组的安全高效运行。
4. **工业自动化**:作为高功率开关元件,应用于PLC、伺服驱动器和工业机器人等设备。
5. **汽车电子**:广泛用于汽车的电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车载充电器等关键模块,满足汽车级可靠性要求。
SiZ104DT, FDBL86150, SQJA40EP, IPPB220N15N3