时间：2025/9/3 11:22:07
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3N128是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大、开关电路和电源管理等领域。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5A（在25℃）
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220AB
3N128 MOSFET具有良好的导通特性和较低的导通电阻，这使其在功率应用中能够高效运行并减少能量损耗。其高耐压特性使其适用于较高的工作电压环境，同时具备较强的热稳定性和抗过载能力。
该器件的栅极驱动要求相对较低，能够在较宽的栅源电压范围内稳定工作，因此与多种驱动电路兼容。此外，3N128的封装形式（TO-220AB）具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
该MOSFET的响应速度快，开关损耗低，适用于高频开关应用。此外，3N128具有较高的可靠性和较长的使用寿命，在工业控制、电源转换和电机驱动等领域表现出色。
3N128常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、功率放大器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的电气特性和热稳定性使其成为中高功率应用的理想选择。
IRF540, 2N6756, FQP5N10L
