3N128 时间：2025/9/3 11:22:07 阅读：31

3N128是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大、开关电路和电源管理等领域。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在25℃）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

3N128 MOSFET具有良好的导通特性和较低的导通电阻，这使其在功率应用中能够高效运行并减少能量损耗。其高耐压特性使其适用于较高的工作电压环境，同时具备较强的热稳定性和抗过载能力。
　　该器件的栅极驱动要求相对较低，能够在较宽的栅源电压范围内稳定工作，因此与多种驱动电路兼容。此外，3N128的封装形式（TO-220AB）具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET的响应速度快，开关损耗低，适用于高频开关应用。此外，3N128具有较高的可靠性和较长的使用寿命，在工业控制、电源转换和电机驱动等领域表现出色。