型号：HMC511LP5E
　　制造商：Analog Devices (ADI)
　　器件类型：无源倍频器（二倍频）
　　工艺技术：GaAs InGaP HBT MMIC
　　输入频率范围：13.5 GHz 至 15.5 GHz
　　输出频率范围：27 GHz 至 31 GHz
　　输入功率要求：+13 dBm 典型值
　　转换损耗：典型 8.5 dB
　　相位噪声加性贡献：<-140 dBc/Hz @ 100 kHz offset（典型）
　　输入VSWR：典型 1.5:1
　　输出VSWR：典型 1.8:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：5引脚 TSSOP（符合RoHS）
　　二次谐波抑制：>25 dBc
　　基波泄漏抑制：>20 dBc

HMC511LP5E的核心特性之一是其优异的宽带倍频性能，能够在13.5 GHz至15.5 GHz的宽输入频率范围内稳定工作，并生成27 GHz至31 GHz的输出信号，适用于K波段和Ka波段的应用场景。这种宽带操作能力使其能够灵活适配多种频率合成架构，尤其适合多通道或可调谐系统设计。该器件作为无源倍频器，不依赖直流电源供电，避免了有源电路可能引入的额外噪声和失真，从而显著提升了整体系统的信噪比和频率纯净度。其内部结构经过优化设计，确保了高效的非线性转换过程，在保证足够输出功率的同时，最大限度地降低了转换损耗，典型值仅为8.5 dB，优于同类竞争产品。
　　另一个关键优势在于其极低的相位噪声加性贡献。HMC511LP5E在100 kHz偏移处的相位噪声恶化通常低于-140 dBc/Hz，这意味着它几乎不会劣化原始本振信号的质量，对于高精度雷达、相干通信和精密测试仪器至关重要。此外，器件具备良好的端口匹配特性，输入VSWR典型值为1.5:1，输出为1.8:1，有助于减少反射引起的信号干扰和级联增益波动。其二次谐波抑制大于25 dBc，基波泄漏抑制超过20 dBc，有效降低了杂散发射，简化了后续滤波网络的设计复杂度。
　　HMC511LP5E还表现出卓越的温度稳定性和长期可靠性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内持续运行，适用于恶劣环境下的户外通信设备或航空航天平台。采用小型化的5引脚TSSOP封装，不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装和回流焊工艺，提升了生产效率。所有材料均符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对绿色制造的要求。由于其无需外部偏置和极少的外围元件需求，用户可以快速完成射频链路集成，缩短开发周期并降低整体系统成本。

HMC511LP5E主要用于需要高频、低噪声频率合成的先进射频系统中。在点对点和点对多点微波通信系统中，它常被用于构建27 GHz至31 GHz频段的上变频或下变频本振链路，特别是在5G回传、城域网扩展和高速数据链路中发挥重要作用。在卫星通信地面站设备中，该器件可用于生成Ka波段的本地振荡信号，支持宽带卫星互联网接入和高清视频传输。测试与测量领域也广泛采用HMC511LP5E，例如在矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器中作为内部频率扩展模块，以实现更高频段的精确测量能力。
　　在国防和航空航天应用方面，HMC511LP5E因其高可靠性和抗干扰能力，被集成于机载雷达、导弹导引头和电子战系统中，用于生成稳定的毫米波参考信号。其低相位噪声特性特别适用于相控阵雷达和相干探测系统，有助于提高目标分辨能力和测距精度。此外，在科研实验装置如太赫兹波前系统、量子通信原型机和毫米波成像设备中，HMC511LP5E也被用作频率倍增单元，配合锁相环（PLL）和压控振荡器（VCO）构建超稳频源。由于其宽带响应和良好的互调性能，工程师还可将其应用于多频段共用天线系统或多模收发器设计中，提升系统集成度和频谱利用率。总之，HMC511LP5E凭借其高性能指标和稳健的物理封装，已成为现代毫米波电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

HMC711LC5(E)
　　HMC182LP5E
　　HMC378MS8GE