时间：2025/7/8 23:09:01
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NTD4809NG是一款N沟道功率MOSFET，由ONSEMI（安森美）公司生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其采用TO-263-3封装形式，具有良好的散热性能。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：220W
工作结温范围：-55℃至+175℃
NTD4809NG具有低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
该器件具备快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
它具有优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
其设计支持高电流密度，非常适合要求高效能的应用场景。
此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了高度一致的产品性能和可靠性。
该器件广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电池管理系统、电机控制、电信系统中的负载开关以及工业自动化设备中。
在汽车电子领域，它也可用作各类驱动电路的核心元件。
NTD4808N, IRF540N, FDP16N50
