型号：3N100G-TN3-R
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：1000V
　　最大连续漏极电流(ID)：3A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：12A
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　阈值电压(Vth)：4.0V（典型值），范围约3.0V至5.0V
　　导通电阻(RDS(on))：1.0Ω（最大值，在VGS=10V，ID=1.5A条件下）
　　输入电容(Ciss)：550pF（典型值，VDS=800V，f=1MHz）
　　输出电容(Coss)：45pF（典型值，VDS=800V，f=1MHz）
　　反向恢复时间(trr)：35ns（典型值）
　　二极管正向压降(VSD)：1.7V（典型值，IS=3A）
　　功率耗散(PD)：60W（TC=25°C）
　　工作结温(TJ)：-55°C至+150°C
　　存储温度(Tstg)：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN5x6（双侧冷却）
　　安装方式：表面贴装(SMD)

3N100G-TN3-R具备优异的电气特性和热管理能力，是专为高电压、中等电流开关应用优化的功率MOSFET。其核心优势在于高达1000V的漏源击穿电压，使其能够在高压离线式电源系统中直接接入整流后的市电母线，无需额外的电压钳位或保护电路，提高了系统的集成度和可靠性。
　　该器件采用了先进的超级结（Super Junction）结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗。尽管其RDS(on)最大值为1.0Ω，但在实际应用中，由于其良好的热传导性能和DFN5x6封装的双面散热设计，可以在较高负载下维持较低的工作温度，避免因温升导致的性能下降。
　　3N100G-TN3-R的栅极电荷Qg较低，典型值约为45nC（VDS=800V，VGS=10V），这有助于减少驱动电路的能量消耗，并支持更高的开关频率操作，适用于高频LLC谐振变换器、反激式电源等拓扑结构。同时，其输出电容Coss较小，进一步降低了开关过程中的能量损耗，提升了整体能效。
　　该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr≈35ns），可有效减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰（EMI），特别适用于需要频繁换向的电路场景。
　　DFN5x6封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有裸露焊盘，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，显著提升功率密度。此外，该封装无铅、无卤素，符合现代绿色电子产品制造标准。综合来看，3N100G-TN3-R凭借其高压耐受性、低损耗、高可靠性及紧凑封装，成为中小功率高压电源设计中的理想选择。

3N100G-TN3-R广泛应用于多种需要高压开关功能的电力电子系统中。典型应用场景包括LED恒流驱动电源，尤其是在交流直接驱动（AC Direct Drive）LED模块中，利用其1000V耐压特性可以直接连接整流后高压直流总线，省去传统降压电路，简化系统架构并提高效率。
　　在离线式开关电源（Off-line SMPS）中，该器件可用于反激（Flyback）、正激（Forward）或LLC半桥谐振拓扑的主开关管，适用于适配器、充电器、电视电源板等产品。其低栅极电荷和快速开关能力有助于实现高频率运行，减小变压器和滤波元件的尺寸，进而缩小整体电源体积。
　　此外，在DC-DC高压转换器中，如光伏逆变器前端升压电路或工业电源中的中间母线转换器，3N100G-TN3-R也能胜任高压侧开关角色。其稳定的高温性能保证了在恶劣工况下的持续运行能力。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于小型永磁同步电机或步进电机的驱动电路中，特别是在需要隔离供电或高压启动的应用中表现良好。同时，它也适用于电子镇流器、激光电源、复印机高压发生器等特殊工业设备。
　　由于其出色的EMI性能和抗干扰能力，3N100G-TN3-R还可用于对电磁兼容性要求较高的医疗设备电源或通信电源模块中。总之，凡是在1000V以下高压环境下需要高效、可靠、小型化开关器件的场合，3N100G-TN3-R都是一种极具竞争力的选择。

AOB3N100G
　　AP3N100G
　　STL1N100G