时间：2025/9/14 14:47:25
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BUK962R5-60E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：220 A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.5 mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220AB
BUK962R5-60E,118 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了系统的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），适用于多种控制电路配置。器件的封装设计便于散热，支持快速热传导，适用于持续高负载工作环境。
该器件符合 RoHS 环保标准，适用于汽车电子、工业电源、电池管理系统（BMS）、电动工具和服务器电源等对可靠性要求较高的应用场合。其稳定性和耐用性使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。
BUK962R5-60E,118 常用于各类高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备的电源模块中。其优异的导通性能和热管理能力使其在汽车电子系统（如车载充电器、启停系统）中也得到广泛应用。
BUK962R4-60E,118; BUK963R4-60E,118; IPPB220N06N3GKSA1
