H9TP26ABLDMC 时间：2025/9/1 16:30:18 阅读：5

H9TP26ABLDMC 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM（LPDDR4）芯片，主要面向高端智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用先进的封装技术和先进的制造工艺，具有高速数据传输能力和节能特性，适用于对性能和功耗敏感的应用场景。

参数

类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：2GB / 4GB / 6GB / 8GB（根据具体型号）
　　封装：FBGA
　　工作电压：1.1V（核心电压），1.8V（I/O）
　　接口：x16
　　时钟频率：最高支持1600MHz
　　数据速率：最高3200Mbps（双倍数据速率）
　　封装尺寸：138-ball FBGA（具体尺寸为6mm x 8mm）
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H9TP26ABLDMC 采用先进的LPDDR4技术，具备出色的低功耗特性，非常适合移动设备和嵌入式系统。其双倍数据速率（DDR）架构允许在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而显著提高数据带宽。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式，有助于延长电池续航时间。
　　此外，H9TP26ABLDMC 集成了温度传感器和自动刷新功能，确保在各种工作条件下数据的稳定性和可靠性。其先进的封装技术（如PoP - Package on Package）允许堆叠在应用处理器之上，节省主板空间并提高系统集成度。
　　该芯片还支持命令和地址奇偶校验、写入校正和读取校验等功能，提高了系统的数据完整性和稳定性。同时，其内部设计支持多bank操作，从而提高内存访问效率。

应用

H9TP26ABLDMC 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及高性能嵌入式设备等对内存带宽和功耗要求较高的电子产品中。它适用于需要快速图形处理和大量数据缓存的场景，例如高清视频播放、多任务处理以及大型应用程序运行等。此外，由于其良好的温度适应性，也适合在工业级环境中使用，如工业控制设备、医疗电子设备和便携式测量仪器等。