09N90G 时间：2025/8/9 11:34:30 阅读：18

09N90G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高电压、大电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路、电源转换器和电机驱动系统等领域。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优良的导通电阻和开关性能，适合在高频率和高效率要求的系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：8.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.2Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（取决于具体子型号）
　　功率耗散（PD）：62W（TO-220）或100W（D2PAK）

特性

09N90G MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（900V VDS）使其非常适合用于高电压电源转换器、离线式开关电源（SMPS）以及PFC（功率因数校正）电路。其次，该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，09N90G具备良好的热稳定性，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　在可靠性方面，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，能够有效防止因瞬态过压而造成的损坏。同时，其抗短路能力和较高的耐用性也使其在严苛环境下具备更长的使用寿命。

应用

09N90G 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、LED照明驱动、家电控制模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　由于其高耐压特性和良好的导通性能，该MOSFET也常用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动工具的驱动电路中。在这些应用中，它能够提供稳定的功率开关功能，同时保持较高的转换效率和较低的系统发热量。
　　在消费类电子产品中，如大功率适配器、智能电表和家电电机控制模块中，09N90G也因其高可靠性和易于驱动的特性而被广泛采用。