DMP3160L 时间：2025/5/15 9:29:34 阅读：8

DMP3160L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 DMOS 工艺制造。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于各种电源管理应用和负载开关场景。DMP3160L 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合空间受限的设计环境。
　　这款功率 MOSFET 的设计目标是实现高效能和高密度的电路集成，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。

参数

漏源电压(Vds)：30V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.8V~3.6V
　　连续漏极电流(Id)：4.5A
　　导通电阻(Rds(on))：0.13Ω（在 Vgs=10V 时）
　　功耗(Ptot)：710mW
　　工作结温范围(Tj)：-55℃~150℃

特性

DMP3160L 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
　　2. 快速的开关速度，能够适应高频开关应用场景。
　　3. 高静电防护能力（HBM ≥ 2kV），提升了器件的可靠性。
　　4. 小尺寸 SOT-23 封装，便于 PCB 布局和系统小型化。
　　5. 宽工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

DMP3160L 主要用于以下应用领域：
　　1. 开关电源中的同步整流和功率级转换。
　　2. 负载开关和保护电路。
　　3. 电池管理系统的充放电控制。
　　4. 消费类电子产品的电源管理模块。
　　5. 便携式设备中的 DC-DC 转换器。
　　6. LED 照明驱动电路。
　　7. 数据通信接口保护与切换。
　　其小尺寸和高性能特点使其非常适合需要紧凑型解决方案的应用场景。