电容值：220μF
　　额定电压：1V DC
　　容差：±20%
　　等效串联电阻（ESR）：30mΩ 最大（100kHz）
　　纹波电流（RMS）：1800mA（100kHz）
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C
　　尺寸（直径 x 高度）：约7.3mm x 4.0mm（具体以数据手册为准）
　　封装类型：表面贴装型（SMD），金属罐结构
　　寿命：在+105°C、额定电压下可持续工作1000小时以上，施加电压时漏电流极小
　　极性：有极性电容器，需注意正负极安装

USW1V220MDD的最大优势在于其采用导电性高分子固体电解质技术，这种材料相比传统铝电解电容器中的液态电解液具有显著更低的离子迁移阻力，从而大幅降低了等效串联电阻（ESR）。低ESR意味着在高频开关电源环境中能够更有效地抑制电压波动和噪声，提升系统的稳定性与效率。同时，由于没有液体成分，避免了因电解液干涸而导致的容量衰减或失效问题，极大地延长了使用寿命，并提高了在高温环境下的可靠性。该器件还表现出优异的温度特性，在宽温范围内电容值变化较小，且ESR随温度的变化也远小于常规电解电容。
　　另一个关键特性是其高纹波电流承受能力。在现代数字IC如CPU或GPU的供电回路中，负载电流频繁切换会造成较大的交流纹波，普通电容可能因过热而损坏。而USW1V220MDD凭借其低ESR和优良的热传导设计，可以安全地承受高达1800mA RMS的纹波电流，有效防止因自发热导致的早期老化。此外，其金属外壳不仅增强了机械强度，还有助于散热，进一步提升了功率密度表现。
　　该电容器还具备快速响应瞬态负载变化的能力，这在动态电源管理中至关重要。当系统突然增加功耗时，主电源无法立即响应，此时电容器会迅速放电以补充电流缺口，维持电压稳定。USW1V220MDD由于内部结构优化，充放电响应速度快，能够很好地支持这类瞬态需求。最后，其表面贴装封装便于自动化生产，适用于回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，有助于提高组装效率和产品一致性。

USW1V220MDD广泛应用于对电源质量要求极高的电子设备中。典型使用场景包括高端计算平台中的CPU、GPU及ASIC芯片的去耦电容网络，用于平滑核心电压（如1V左右的Vcore）并吸收高频噪声。在服务器主板、工作站和高性能笔记本电脑中，这类低电压大容量固态电容常被布置在VRM（电压调节模块）输出端，以增强电源的动态响应能力和整体稳定性。
　　此外，它也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和超极本等，这些设备普遍采用多相降压变换器为处理器供电，且空间紧凑，需要高可靠性的微型化电容解决方案。USW1V220MDD的小体积与高性能使其成为理想的候选元件。在通信设备领域，如基站信号处理板卡、光模块电源管理单元中，该电容可用于滤除开关电源产生的噪声，确保信号链的信噪比不受影响。
　　工业控制和汽车电子系统同样是其重要应用方向。特别是在车载信息娱乐系统或ADAS控制器中，面对振动、温度循环和长期运行的挑战，传统电解电容容易失效，而USW1V220MDD凭借其固态结构和耐久性，提供了更可靠的替代方案。此外，在FPGA和DSP供电电路中，多个此类电容常并联使用，构建低阻抗电源总线，满足复杂逻辑电路对纯净电源的需求。总之，凡是在低压、大电流、高频率条件下运行的精密电子系统，都是USW1V220MDD的理想应用场景。

Sanyo OS-CON SEK series (e.g., SEK1V220M)
　　Nichicon PLG series (e.g., PLG1V220MPL1FC)
　　Panasonic POSCAP SP-Cap (similar models: UPS1V220MHD-N, UPS1V220MED)
　　Vishay EPCOS CPG series (conductive polymer capacitors with similar ratings)