3EZ20D5 时间：2025/5/23 22:10:09 阅读：26

3EZ20D5 是一款高性能的功率晶体管，广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低功耗。
　　该晶体管属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高电压和大电流场景下的功率转换与控制应用。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：20A
　　栅极阈值电压：4V
　　导通电阻：0.18Ω
　　开关时间：ton=35ns, toff=95ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

3EZ20D5 具有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：其漏源电压高达 600V，非常适合高压应用场景，如工业电源和汽车电子。
　　2. 低导通电阻：仅 0.18Ω 的导通电阻有效减少了功率损耗，提高了系统效率。
　　3. 快速开关性能：开关时间短（开启时间为 35ns，关断时间为 95ns），可支持高频开关应用。
　　4. 热稳定性强：在宽温范围内表现出色，能够在极端条件下稳定运行。
　　5. 强大的过流保护能力：即使在瞬态条件下也能保持较高的可靠性。
　　这些特性使 3EZ20D5 成为许多功率电子设备的理想选择。

应用

3EZ20D5 广泛应用于多个领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能量转换，确保输出电压稳定。
　　2. 逆变器：在太阳能发电系统和不间断电源 (UPS) 中起到关键作用。
　　3. 电机驱动：支持直流无刷电机和其他类型的电动机控制。
　　4. 工业自动化：例如伺服控制系统、焊接设备等需要精确功率调节的地方。
　　5. 汽车电子：如电动车窗、雨刷器以及电动助力转向系统中的功率管理模块。
　　凭借其卓越的性能，这款晶体管已成为现代电力电子设计中不可或缺的一部分。