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FDMA908PZ 发布时间 时间:2025/4/28 12:58:01 查看 阅读:28

FDMA908PZ是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=11ns, toff=15ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

FDMA908PZ具有非常低的导通电阻,从而减少了导通损耗,并且其快速的开关速度可以有效降低开关损耗。此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期稳定工作。它采用PQFN封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,非常适合空间受限的应用场景。
  这款MOSFET支持高频开关操作,因此在设计紧凑型高效电源时表现出色。同时,其高雪崩能量能力也增强了系统的鲁棒性,使其能够在异常条件下保持正常运行。

应用

FDMA908PZ广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器、LED驱动电路、工业自动化设备中的电机控制模块以及新能源汽车的电池管理系统等。由于其卓越的性能和可靠性,该器件成为许多现代电子设备中不可或缺的核心组件之一。

替代型号

IRF840,
  FDP5500,
  STP160N10,
  IXFK30N100

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FDMA908PZ参数

  • 现有数量25,350现货
  • 价格1 : ¥7.08000剪切带(CT)3,000 : ¥2.72117卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.5 毫欧 @ 12A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3957 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-MicroFET(2x2)
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘