RF7307TR7是一款高性能射频功率晶体管,专为高频率和高功率应用设计。该器件由Renesas Electronics制造,广泛应用于无线通信系统、广播设备、工业加热设备以及测试仪器等需要高效射频能量放大的场景。RF7307TR7采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,提供优异的线性度和高效率,适用于从几十MHz到超过1GHz频率范围的应用。
类型:射频功率MOSFET
技术:LDMOS
封装类型:表面贴装
最大漏极电流(ID(max)):50A
最大漏极电压(VD(max)):65V
工作频率范围:30MHz - 1.2GHz
输出功率(Pout):典型值为125W
增益:约18dB(典型值)
效率:典型值大于60%
热阻(Rth):约0.35°C/W
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
RF7307TR7具有多项优异的电气和热性能,确保其在严苛环境下稳定工作。首先,其高输出功率能力使其适用于需要大功率放大的系统,例如广播发射机和工业加热设备。其次,该晶体管具备高增益和出色的线性度,使其在无线通信系统中能够有效减少信号失真,提高传输质量。此外,RF7307TR7的LDMOS结构提供了良好的热稳定性,结合低热阻特性,能够有效散热,延长器件寿命。
在可靠性方面,该器件经过严格的测试,确保其在高温和高功率条件下依然保持稳定的性能。同时,其表面贴装封装设计有助于简化PCB布局并提高组装效率。RF7307TR7还具有良好的抗失真能力和高耐用性,适用于高要求的工业和通信应用。
RF7307TR7广泛应用于多个领域,包括但不限于以下几种主要应用场景:
1. 无线通信基站:用于4G/5G基站系统的功率放大模块,提供高效率和高稳定性的射频信号放大能力。
2. 广播设备:如FM广播和电视发射机,用于高功率射频信号放大。
3. 工业和科学设备:如射频加热设备、等离子体发生器和测试仪器。
4. 军事和航空航天:用于雷达系统和通信设备中的射频功率放大模块。
5. 消费类电子产品:如高端无线音频发射器和高功率Wi-Fi路由器。
RF7306TR7, RF7308TR7, MRFE6VP61K25H