时间：2025/12/29 17:06:49
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2SK3872-01L是一款N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和低导通电阻的应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供出色的导通性能和开关特性。2SK3872-01L常用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约1.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：H8SOP
功率耗散（Pd）：150W
2SK3872-01L具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件的栅极电荷较低，从而减少了开关损耗并提高了效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
采用先进的沟槽结构，提高了电流处理能力并降低了导通电阻。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中保持稳定的温度。此外，2SK3872-01L具有较高的dv/dt耐受能力，减少了意外触发的风险，提高了系统的稳定性。
该MOSFET的封装形式为H8SOP，适合表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。其小型化设计有助于减少电路板空间占用，同时保持较高的功率密度。
2SK3872-01L广泛用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及负载开关等应用。由于其低导通电阻和高电流处理能力，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换设备。
在服务器和电信设备的电源模块中，该MOSFET用于高效率的电源管理。在电动汽车和工业控制系统中，它用于高电流的功率控制和电机驱动。此外，该器件也适用于需要快速开关和低损耗的高频电源应用。
2SK3872-01L的替代型号包括2SK3872和2SK3872-01。
