时间：2025/9/1 13:00:59
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H9TKNNN6CDMPRR-NDHR是一种嵌入式存储器模块，通常用于高密度数据存储应用。该模块结合了NAND闪存和先进的控制器技术，提供高性能和高可靠性的数据存储解决方案。适用于需要大容量存储和高速数据访问的设备，如工业控制系统、网络设备和消费电子产品。
存储类型:NAND Flash
容量:64GB
接口类型:SDIO 4.0
工作温度:-40°C至85°C
电压范围:2.7V至3.6V
读取速度:300MB/s
写入速度:200MB/s
纠错能力:LDPC ECC
耐久性:3000次编程/擦除周期
封装尺寸:11.5mm x 13mm x 1mm
H9TKNNN6CDMPRR-NDHR具有出色的性能和可靠性，支持宽温度范围和多种纠错技术，确保数据完整性。其小尺寸设计使其适用于空间受限的应用，同时提供高速数据传输能力。该模块还具备低功耗特性，适合电池供电设备使用。
此外，该存储模块集成了先进的磨损均衡算法，延长了使用寿命，并具备良好的抗震动和抗冲击能力。适用于各种严苛环境下的稳定运行。
其SDIO 4.0接口提供更高的数据传输速率，并支持多种操作系统和设备平台的兼容性，确保无缝集成到现有系统中。
该模块广泛应用于工业控制、网络设备、消费电子、汽车电子和物联网设备等领域，满足各种高性能存储需求。
H9TPNNN8GDACUR-NDHR, H9TQNNN8GBACUR-NDHR
