BRS509 时间：2025/8/7 4:29:53 阅读：34

BRS509 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。BRS509适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用，如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。该器件通常采用TO-220AB或D2PAK等封装形式，便于散热并适用于各种工业级应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为0.018Ω（典型值0.015Ω）
　　功率耗散(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

BRS509具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻Rds(on)确保了在高电流工作状态下器件的导通损耗极低，从而提高了整体系统的效率。
　　其次，该MOSFET具有高电流承载能力，能够承受较大的连续漏极电流（50A），适用于大功率应用场景。
　　此外，BRS509采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定的运行。
　　该器件还具有较高的栅极击穿电压（±20V），增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣的工作环境，包括工业自动化、汽车电子和电源管理系统。
　　同时，BRS509具备较低的开关损耗，有助于实现高频开关操作，适用于高频电源转换器的设计。

应用

BRS509广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化控制系统。
　　在汽车电子领域，BRS509可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等应用。
　　此外，由于其高可靠性和优异的热管理能力，BRS509也常用于高要求的工业设备，如工业电源、UPS不间断电源和太阳能逆变器等。
　　在电机控制应用中，BRS509可作为高效能H桥电路的开关元件，实现对直流电机的精准控制。
　　在电池供电系统中，该器件可用于高效能的充放电管理电路，提升系统整体能效。