时间：2025/5/16 13:51:08
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IPD60R1K4C6是一种高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。其封装形式为TO-220，适合于高电流和高电压的工作环境。
该MOSFET采用了优化的芯片设计，能够显著降低导通损耗，从而提升整体系统的效率。同时，它还具备良好的热性能和电气性能，确保在严苛的应用条件下稳定工作。
型号：IPD60R1K4C6
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：27A
导通电阻(R_DS(on))：1.4mΩ（典型值，在V_GS=10V时）
总栅极电荷(Q_g)：98nC
开关速度：快速开关
工作温度范围(T_j)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
3. 快速开关性能，支持高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持高效运行。
5. 采用TO-220标准封装，便于散热设计和安装。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的控制开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
IRF640N, IRFP240, STP60NF06
