类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：15A（连续）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
　　阈值电压（VGS(th)）：4V（典型）

2SK3172具有多项优异的电气和热性能，适用于高性能功率开关应用。首先，其高漏源电压（250V）和较大的漏极电流（15A）使其能够处理高功率负载。此外，低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下的功率损耗最小，提高了系统的整体效率。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。其栅极氧化层经过优化设计，确保稳定的开关特性和高可靠性。此外，2SK3172具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高应力环境下稳定运行。
　　在高频应用中，2SK3172的开关速度较快，能够满足射频功率放大器和DC-DC转换器的需求。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高工作频率。这些特性使该MOSFET成为电源管理、电机驱动和功率放大器的理想选择。

2SK3172广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和射频功率放大器。在电源管理系统中，它可用于高效率的功率转换和稳压电路。在工业自动化和电机控制中，该MOSFET可作为高性能开关元件，实现精确的电机调速和能量管理。
　　此外，2SK3172还常用于音频功率放大器和射频发射设备，适用于需要高输出功率和良好线性度的场合。在汽车电子系统中，如车载充电器和电动助力转向系统，该器件的高可靠性和热稳定性确保其在恶劣环境下的稳定运行。

2SK1530, 2SK2141, IRF840, IRF540N