时间：2025/5/29 18:50:24
阅读：6
251R14S750FV4T是一款高性能的SiC MOSFET功率器件，广泛应用于工业电源、电机驱动和新能源系统等领域。该芯片基于先进的碳化硅技术制造，具有高效率、高频开关能力和出色的热性能。其设计优化了动态和静态特性，能够满足现代电力电子应用对高可靠性和高效能的需求。
该型号中的数字和字母组合代表了产品的具体参数和封装形式，例如额定电压、电流以及封装类型等信息。
额定电压：1200V
额定电流：75A
导通电阻：4mΩ
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-4L
栅极电荷：80nC
输入电容：1350pF
251R14S750FV4T采用了碳化硅材料，因此具备比传统硅基MOSFET更优异的性能表现。
1. 高效运行：得益于低导通电阻与低开关损耗，该芯片能够在高频条件下维持较高的转换效率。
2. 耐高温能力：其最高工作结温可达175°C，适合在恶劣环境下使用。
3. 快速开关速度：由于较低的栅极电荷和输出电荷，能够实现更快的开关切换。
4. 稳定性强：芯片内部结构经过优化，确保在各种负载条件下的稳定工作。
5. 封装优势：采用四脚TO-247封装，支持Kelvin源极连接，从而减少寄生电感影响并改善EMI性能。
这款SiC MOSFET适用于广泛的电力电子领域，包括但不限于：
1. 太阳能逆变器：用于将直流电转换为交流电的高效能量转换。
2. 电动汽车充电设备：支持快速充电功能，同时保持高效率和可靠性。
3. 工业电机驱动：提供精确控制的同时降低系统能耗。
4. 不间断电源（UPS）：提高系统的响应速度和整体效率。
5. 开关模式电源（SMPS）：用于设计紧凑且高效的电源解决方案。
251R14S750FV3T, C2M0075120D, SCT20N120
