时间：2025/6/22 5:31:06
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IPA60R125CFD7 是一款基于先进的CoolMOS技术的N沟道功率MOSFED。它主要应用于高效率、高频开关电源以及电机驱动等场景，具备低导通电阻和优异的开关性能。
型号：IPA60R125CFD7
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：12A(脉冲)
导通电阻(Rds(on))：125mΩ(典型值，25℃)
输入电容(Ciss)：1490pF
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220FP
IPA60R125CFD7采用英飞凌的CoolMOS技术，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有效减少导通损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用场合。
3. 优化的dv/dt耐受能力，能够在恶劣条件下稳定运行。
4. 小巧的封装设计使得其在有限空间内也能灵活使用。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
该器件适用于要求高可靠性和高能效的设计，特别是在电力电子领域中。
IPA60R125CFD7广泛用于多种工业和消费类电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. DC-DC转换器。
3. 逆变器和电机驱动电路。
4. 能量储存系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 家用电器中的高效能源管理单元。
IPA60R150CPD7, IPA60R185CPD7
