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RF3229SR 发布时间 时间:2025/8/16 4:36:24 查看 阅读:26

RF3229SR 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的射频功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的产品。该器件专为高频、高功率应用设计,广泛用于无线基础设施、广播系统、测试设备以及其他射频功率放大器领域。RF3229SR 工作频率范围覆盖从低频到约 1 GHz,具有高增益、高效率和良好的热稳定性能。

参数

类型:LDMOS 射频功率晶体管
  工作频率:DC 至 1 GHz
  输出功率:29 dBm(典型值)
  增益:> 20 dB
  效率:> 60%
  工作电压:+28V
  封装类型:表面贴装(Surface Mount)
  热阻(Rth):< 1.5°C/W
  输入/输出阻抗:50Ω

特性

RF3229SR 采用了先进的 LDMOS 技术,使其在高频率和高功率条件下表现出色。该器件具有出色的线性度和高效率,适用于需要高功率密度和稳定性能的应用场景。
  其高增益特性(通常大于 20 dB)使得它能够在多级放大器结构中减少所需的前置放大级数,从而简化系统设计并降低整体成本。
  此外,RF3229SR 的封装设计优化了热管理和射频性能,具备较低的热阻(< 1.5°C/W),能够在高功率下保持良好的稳定性与可靠性。
  该晶体管还具备良好的输入/输出阻抗匹配(50Ω),简化了与外围电路的连接,减少了额外匹配元件的需求。
  由于其宽频率覆盖能力(DC 至 1 GHz),RF3229SR 可灵活应用于多种射频系统中,包括广播、通信和测试设备。

应用

RF3229SR 主要用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、微波通信设备和广播发射机。此外,它也常用于射频测试设备、工业控制系统、医疗成像设备以及需要高功率射频放大的其他应用。该器件特别适合需要高效率、高线性度和高稳定性的应用场景。

替代型号

NXP MRF1512, Freescale MRFE6VP61K25H, STMicroelectronics STAC2921

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