时间：2025/6/18 12:48:52
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UMK105CH8R2DV-F 是一款陶瓷电容器，采用多层陶瓷技术（MLCC）制造。该型号属于 C0G 介质类型，具有出色的温度稳定性和低损耗特性。它适用于高频滤波、振荡电路、射频电路以及其他对稳定性要求较高的应用场景。
UMK105CH8R2DV-F 的封装形式为 Chip 类型，适合表面贴装工艺（SMD），广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等领域。
电容值：8.2pF
额定电压：50V
公差：±0.25pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
介质材料：C0G（NP0）
封装尺寸：0402英寸（1005公制）
直流偏压特性：不适用（C0G 类型无显著直流偏压影响）
ESR（等效串联电阻）：≤10mΩ
ESL（等效串联电感）：≤0.5nH
1. UMK105CH8R2DV-F 使用 C0G 介质材料，这种介质提供了极高的温度稳定性，其电容值在 -55℃ 至 +125℃ 范围内的变化小于 ±30ppm/℃。
2. 该电容器具有极低的损耗角正切（tanδ），使其非常适合高频应用环境。
3. 封装小巧，便于高密度电路设计，并支持自动化生产流程。
4. 由于采用了陶瓷材料，产品具备良好的抗潮湿性能和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 优异的频率响应能力，能够满足从音频到射频范围的各种电路需求。
UMK105CH8R2DV-F 主要用于以下领域：
1. 振荡器电路中的负载电容调节。
2. 高频信号处理中的耦合与去耦。
3. 射频模块中的匹配网络。
4. 无线通信设备中的滤波器设计。
5. 高精度定时电路中的关键元件。
6. 数据转换器（ADC/DAC）周围的电源去耦。
7. 汽车电子系统中需要高可靠性的场景。
C0G-8.2pF-50V-0402, GRM15DC7J1H8R2JE01D, KEM_C0G_8R2P0_50V_0402
