时间：2025/12/29 14:14:39
阅读：15
AP30P10GH 是一款由 Diodes 公司推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和负载开关应用。这款器件采用先进的沟槽技术，能够在低电压下提供高效率和出色的导通性能。该器件具有较高的集成度，适用于多种便携式设备和电源管理模块。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在Vgs=10V时）
导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：DFN3x3（双侧散热）
AP30P10GH 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其低 Rds(on) 特性使得该器件在高电流应用中能够保持较低的温升，提升系统稳定性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的工作电压，使其兼容多种驱动电路设计。此外，AP30P10GH 具备良好的热稳定性，其封装设计支持双侧散热，提高了散热效率，适合在高密度 PCB 设计中使用。
在可靠性方面，AP30P10GH 提供了过热保护和过电流保护功能，能够有效防止在异常工作条件下的器件损坏。同时，其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
AP30P10GH 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、服务器和通信设备的电源模块中。其高效的导通性能和良好的热管理能力，使其特别适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品。
Si4435BDY, AO4406A, IPD30P03PD111E
